Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Сплав для твердотельных накопителей
Опыт реализации пилотного проекта обсудили на аналитической сессии Минобрнауки России
Процесс пайки до нанесения покрытия на аддитивный протез
Открытка с Днём защитника Отечества