Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Профессор НИТУ МИСИС Елена Чантурия держит в руках почётный знак и удостоверение о присуждении премии Правительства РФ 2025 года в области науки и техники
Команда MISIS x MISIS x MISIS на Wink AI Challenge
Нагрудный знак «Молодой ученый»