Ученые из России обнаружили, что созданный ими широкозонный полупроводник на базе одной из форм оксида галлия обладает уникальной формой проводимости, в которой ключевую роль играют «дырки» — положительно заряженные области. Это открытие расширит применение оксида галлия в силовой электронике, сообщила в среду пресс-служба НИТУ МИСИС.
Ведущие вузы страны подписали соглашение о намерении создания Квантового университета
Сотрудники Центра карьеры и практической подготовки НИТУ МИСИС с наградой
Заседание комиссии по молодёжной политике
Цемент для огнеупорных материалов и специального строительства